IBM i Infineon opracowały wspólnie pamięci typu MRAM (Magnetic Random Access Memory). Wraz z technologią OUM (Ovonics Unified Memory) i nanokryształami krzemowymi MRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w przyszłości pamięci flash. Układy MRAM oparte są na półprzewodnikach i zapisie magnetycznym. W środku krzemowego układu tworzone jest pole magnetyczne. Różnice jego natężenia w poszczególnych komórkach pozwalają na zapis zerojedynkowy. Naukowcom udało się osiągnąć minimalne różnice w natężeniu, co ma się przełożyć na wzrost szybkości układów i większą oszczędność energii. IBM i Infineon zapewniają, że obniżenie różnicy napięć nie doprowadzi do wyższej awaryjności układów, która była dotychczas uważana za główną przeszkodę w wdrożeniu tej technologii. Nowe układy pamięci firmy planują wprowadzić na rynek w 2005 r.