Ceny kontraktowe DRAM w II kw. 2024 r. wzrosną o 13–18 proc. wobec I kw. br., a NAND Flash o 15–20 proc. – twierdzi TrendForce.

Przed trzęsieniem ziemi na Tajwanie (nastąpiło na początku kwietnia br.) TrendForce spodziewał się, że DRAM podrożeje jedynie o 3–8 proc. kw./kw., a NAND Flash o 13–18 proc.

Było to spowodowane przede wszystkim ograniczonym zapotrzebowaniem, poza zastosowaniami AI. Zapasy więc rosły, zwłaszcza u producentów PC. Dodatkowo, wraz ze sporym wzrostem cen DRAM i NAND Flash w minionych 2–3 kwartałach, zmniejszyła się gotowość kupujących do zaakceptowania dalszych znacznych podwyżek.

Po trzęsieniu ziemi pojawiły się natomiast doniesienia o producentach PC, którzy zaakceptowali znaczne podwyżki cen kontraktowych DRAM i NAND Flash, jednak były to pojedyncze transakcje.

Pod koniec kwietnia – po zakończeniu nowej rundy negocjacji cen kontraktowych – podwyżki były większe, niż początkowo oczekiwano. To skłoniło TrendForce do skorygowania w górę prognozy cen DRAM i NAND Flash.

Ponadto nabywcy strategicznie zwiększają swoje zapasy w drugim kwartale, aby przygotować się na przewidywane niedobory HBM, które rozpoczną się w III kw. br. – uważa TrendForce.

Topnieją zapasy nośników SSD QLC

Ponieważ efektywność energetyczna staje się coraz bardziej istotna dla serwerów AI, amerykańskie koncerny chmurowe preferują dyski SSD QLC. Ta zmiana zwiększa popyt na takie nośniki, powodując szybkie wyczerpywanie się zapasów. Ponadto, ze względu na niepewne ożywienie popytu na produkty konsumenckie, dostawcy ostrożnie podchodzą do inwestycji w pojemności płytek innych niż HBM, szczególnie w przypadku NAND Flash, których cena jest obecnie wyceniana na progu rentowności.