Decyzja została podjęta po zanotowanej przez producenta stracie 7 mld dol. na chipach w pierwszym półroczu br. Samsung tłumaczy, że mimo iż można zaobserwować ożywienie popytu na układy scalone, to dotyczy on chipów wysokiej klasy, wykorzystywanych w rozwiązaniach sztucznej inteligencji.

Dział produkujący układy scalone Samsunga odnotował stratę operacyjną w wysokości 4,36 bln wonów w kwartale kwiecień-czerwiec z 9,98 bln wonów zysku rok wcześniej. Straty zmniejszyły się nieznacznie z 4,58 bln wonów w pierwszym kwartale właśnie ze względu na duże zapotrzebowanie na układy pamięci obsługujące rozwiązania AI.

Producent oświadczył, że cięcia produkcyjne w całej branży prawdopodobnie będą kontynuowane w drugiej połowie roku, ale popyt powinien stopniowo rosnąć, ponieważ klienci nadal zużywają swoje zapasy (chipów)

Z kolei według doniesień Digitimes Samsung Electronics przeprowadzi badania nad technologią „układania 3D”, dzięki której można układać w pionie tranzystory półprzewodnikowe. Prace badawczo-rozwojowe nad pionowo układaną architekturą tranzystorów GAA o nazwie „3DSFET” odbywają się w ramach działu Device Solutions.

„W 2022 roku Samsung osiągnął masową produkcję procesu 3 nm z wykorzystaniem architektury GAA. W tej chwili jest to nadal struktura 2D z poziomo połączonymi tranzystorami. Jednak w miarę jak procesy półprzewodnikowe stają się coraz bardziej wyrafinowane, miniaturyzacja tranzystorów może prowadzić do efektu krótkokanałowego, który może powodować problemy, takie jak upływ prądu. Dlatego też zapewnienie przestrzeni stało się wyzwaniem” – pisze Digitimes.

Autor artykułu, Daniel Chiang, tłumaczy, że aby sprostać tym wyzwaniom, Samsung postrzega pionowo ułożoną strukturę 3D jako następną generację technologii GAA i zaangażował się w komercyjne badania i rozwój. Celem jest maksymalne zminimalizowanie zakłóceń elektromagnetycznych (EMI) między układami scalonymi i zintegrowanie większej liczby tranzystorów w mniejszych przestrzeniach. 

„Jest to ta sama logika, co w przypadku układania w stos pamięci NAND Flash w celu poprawy wydajności” – pisze Daniel Chiang.